اس اس دی اینترنال سامسونگ مدل ™PRO 990 PCIe®4.0 NVMe ظرفیت چهار ترابایت

سرعت خواندن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,600,000 IOPS

کنترل کننده

Samsung 2GB Low Power DDR4 SDRAM

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت تصادفی

Up to 1,550,000 IOPS

نوع رابط حافظه

PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 2.0

ظرفیت

چهار ترابایت

حداکثر میزان مقاومت در برابر شوک

1500G

میانگین عمر

1.5 میلیون ساعت

نوع حافظه فلش

TLC

قابلیت‌های حافظه

پشتیبانی از TRIM

سرعت نوشتن اطلاعات به صورت ترتیبی

Up to 6,900 MB/s

سرعت خواندن اطلاعات به صورت ترتیبی

Up to 7,450 MB/s

قابلیت‌های مقاومتی

مقاوم در برابر شوک

سرعت انتقال اطلاعات

10 گیگابیت بر ثانیه

مصرف برق

Average: 6.5 W

رابط‌ها

PCI-Express 4.0 x4

وزن

10 گرم